Оригинальные исследования (ОРИС)

Название статьи: РАЗРАБОТКА КОМПЛЕМЕНТАРНОЙ СТРУКТУРЫ БИПОЛЯРНЫХ ПАР ТРАНЗИСТОРОВ

Авторы: Наврузова А. А., Андреев Д. В.

Ключевые слова: устройство выборки и хранения, комплементарные пары транзисторов, Вольт-Амперные характеристики, ионная имплантация, диффузия.

Страницы: 278-285

Аннотация:

В статье представлены результаты работ по модернизации технологического процесса микросхемы устройства выборки и хранения (УВХ) с целью получения комплементарных пар транзисторов в составе ИМС. За счет максимально приближенных значений электрических параметров pnp- и npn- транзисторов снижается уровень входных токов. Высокие входные токи при переключении могут вызывать выбросы и нестабильность выходного сигнала, что приводит к ошибкам в последующих этапах обработки. Для достижения поставленной цели были проанализированы электрические параметры транзисторов в составе ИМС, рассмотрены физико-химические процессы при получении структуры. На основании полученных данных предложено решение по оптимизации структуры ИМС. Оценена эффективность нововведения в сравнении с исходным вариантом конструкции.

Полный текст статьи недоступен

Скачать полный текст статьи
  • ISSN: 2222-0402

Журнал индексируется в Российском индексе научного цитирования (РИНЦ)

Отправить статью в журнал "Оригинальные исследования (ОРИС)"

Журнал "Оригинальные исследования (ОРИС)" (включен в РИНЦ) ведет прием статей в ближайший номер до 25 ноября 2024 г. 

Полезная информация

Наша группа в "Контакте"

ДО ПУБЛИКАЦИИ ОДИН ШАГ

Оставьте заявку на бесплатную консультацию, и мы расскажем, как быстро опубликовать вашу статью

Нажимая кнопку "Получить консультацию" я даю свое согласие на передачу и обработку персональных данных, а также принимаю условия политики конфиденциальности.