Original Research Journal

Article title: РАЗРАБОТКА КОМПЛЕМЕНТАРНОЙ СТРУКТУРЫ БИПОЛЯРНЫХ ПАР ТРАНЗИСТОРОВ

Authors: Наврузова А. А., Андреев Д. В.

Keywords: устройство выборки и хранения, комплементарные пары транзисторов, Вольт-Амперные характеристики, ионная имплантация, диффузия.

الصفحات: 278-285

Abstract:

В статье представлены результаты работ по модернизации технологического процесса микросхемы устройства выборки и хранения (УВХ) с целью получения комплементарных пар транзисторов в составе ИМС. За счет максимально приближенных значений электрических параметров pnp- и npn- транзисторов снижается уровень входных токов. Высокие входные токи при переключении могут вызывать выбросы и нестабильность выходного сигнала, что приводит к ошибкам в последующих этапах обработки. Для достижения поставленной цели были проанализированы электрические параметры транзисторов в составе ИМС, рассмотрены физико-химические процессы при получении структуры. На основании полученных данных предложено решение по оптимизации структуры ИМС. Оценена эффективность нововведения в сравнении с исходным вариантом конструкции.

Full text is not available

Download full text
  • ISSN: 2222-0402

Полезная информация

Get a FREE mansucript checking

Our expert team reviews the manuscript and prepares a useful report regarding what can be improved. It's fast and it's FREE.

We are also professionals in language editing. Try us and learn more about what our services by clicking here