Оригинальные исследования (ОРИС)

Название статьи: ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ СО ВСТРОЕННЫМ И ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ В ОДНОМ КМДП ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ

Авторы: Андреев В. В., Двухшерстнов А. С., Гурин В. М., Шмелькова А. А., Мельникова Я. В., Филлипович М. Е.

Ключевые слова: Интегральная микросхема, МДП транзистор, КМДП технологический процесс, вольт-амперная характеристика, встроенный канал, индуцированный канал.

Страницы: 78-88

Аннотация:

В статье представлен процесс получения МДП транзисторов со встроенным и индуцированным каналом в едином технологическом процессе. Рассмотрена физическая структура кристалла, получаемая при одновременном формировании МДП транзисторов двух типов. Исследовано влияние дозы загонки бора в карман p-типа на характеристики МДП- транзисторов с разным типом каналов. Проведена оценка влияния технологических режимов формирования МДП транзисторов на их вольт-амперные характеристики.

Полный текст статьи недоступен

Скачать полный текст статьи
  • ISSN: 2222-0402

Журнал индексируется в Российском индексе научного цитирования (РИНЦ)

Отправить статью в журнал "Оригинальные исследования (ОРИС)"

Журнал "Оригинальные исследования (ОРИС)" (включен в РИНЦ) ведет прием статей в ближайший номер до 25 ноября 2024 г. 

Полезная информация

Наша группа в "Контакте"

ДО ПУБЛИКАЦИИ ОДИН ШАГ

Оставьте заявку на бесплатную консультацию, и мы расскажем, как быстро опубликовать вашу статью

Нажимая кнопку "Получить консультацию" я даю свое согласие на передачу и обработку персональных данных, а также принимаю условия политики конфиденциальности.