Article title:
ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ СО ВСТРОЕННЫМ И ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ В ОДНОМ КМДП ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ
Authors:
Андреев В. В., Двухшерстнов А. С., Гурин В. М., Шмелькова А. А., Мельникова Я. В., Филлипович М. Е.
Keywords: Интегральная микросхема, МДП транзистор, КМДП технологический процесс, вольт-амперная характеристика, встроенный канал, индуцированный канал.
الصفحات: 78-88
Abstract: В статье представлен процесс получения МДП транзисторов со встроенным и индуцированным каналом в едином технологическом процессе. Рассмотрена физическая структура кристалла, получаемая при одновременном формировании МДП транзисторов двух типов. Исследовано влияние дозы загонки бора в карман p-типа на характеристики МДП- транзисторов с разным типом каналов. Проведена оценка влияния технологических режимов формирования МДП транзисторов на их вольт-амперные характеристики.
Full text is not available
Download full text
